“تم تصميم الأجهزة لدعم التطبيقات التي تتطلب كفاءة الأداء وكفاءة الطاقة بقدرات تخزين منخفضة إلى متوسطة المستوى. سيتم دمجها أيضًا في SSDs للمؤسسات في Kioxia ، ولا سيما تلك التي تهدف إلى زيادة كفاءة GPU في أنظمة AI.” قال الشركة.
يأتي جزء من تخفيض تكلفة الإنتاج من استخدام الترابط على مستوى الويفر لإرفاق CMOS Control Die إلى مكدس الذاكرة-بالنسبة للجيل التاسع ، سيكون هذا إما أن يكون على أحدث طراز CMOs مع ذاكرة 112 طبقة من الجيل الخامس للشركة ، أو مكدس الجيل الثامن من 218 لاعب.
يحتوي الفلاش الذي يتم أخذ عينات منه على مكدس من الجيل الخامس من 120 طبقة و “يعرض تحسينات كبيرة في الأداء على منتجات الفلاش الحالية في Kioxia مع نفس سعة 512 جيجابايت-وهو فلاش من الجيل السادس الذي ينشر نفس الخلية ذات المستوى الثلاثي 512Gbbed مثل هذا المنتج”.
الاختلافات المطالبة هي تحسن بنسبة 61 ٪ في أداء الكتابة وتحسين 12 ٪ في القراءة ، و 36 ٪ من كفاءة الطاقة و 27 ٪ في القراءة.
تبلغ سرعة نقل البيانات 3.6gbit/s (تبديل DDR6.0) ، مع “ما يصل إلى 4.8 جيجابت/ق في ظل ظروف التوضيح” و “مواصفات العينات قد تختلف في الإنتاج الضخم” ، كما قال الكوكسيا ، مضيفًا: “إن الجيل التاسع من ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد ستكون مناسبة لأجهزة إنترنت الأشياء والأنظمة المدمجة في القطاع الصناعي والسيارات في حالة التكلفة الأكثر أهمية”.
وأشار أيضًا إلى أن أرقام الذاكرة أعلى من المعرفات للأجهزة قبل طرح مناطق البيانات العامة والتنسيق والكتل السيئة.
في العام الماضي ، بدأ Kioxia الإنتاج الضخم لذكريات فلاش الخلايا الرباعية الكبيرة
