يبلغ طول إثبات المفهوم القائم على Hemt GaN 8 مم ويشغل أقل من 5000 مم2.
قال أليكس ليدو، الرئيس التنفيذي لشركة EPC: “إن GaN هي تقنية أساسية للنظام البيئي 800Vdc”.
بينما تقترح شركة Power Integrations زوجًا واحدًا من نصف الجسر يتكون من 1250 فولت من حواجز GaN للحصول على مصدر طاقة مماثل، تقترح EPC استخدام ثمانية أنصاف جسور سلكية على التوالي على جانب الإدخال (انظر الرسم البياني)، وتقاسم 800 فولت فيما بينها بـ 8×100 فولت. بهذه الطريقة، لا يلزم سوى أجهزة 150 فولت.
نظرًا لأن هذه هي الواجهات الأمامية لثمانية محولات LLC معزولة، فيمكن توصيل جميع مخرجاتها بالتوازي لإنتاج مخرج واحد عالي التيار 12.5 فولت.
“تم تصميم وحدات LLC لتعمل بتردد الرنين، حيث تكون الكفاءة هي الأعلى ويكون كسب خزان الرنين هو الوحدة. من خلال تصميم مغو الرنين [Lr] أن تكون أقل بكثير من مغو المغنطة [Lm]، يظل كسب المحول مستقلاً عن التردد حول تردد التشغيل وعلى نطاق واسع، “وفقًا للشركة. “هذا يفرض على المخرجات المتوازية تقديم جهود متساوية لكل من الانتخابات التمهيدية، بما في ذلك تفاوتات المكونات، للحفاظ على الفولتية المقسمة بالتساوي عبر كل وحدة [inputs]. وبما أن جميع المدخلات متسلسلة، فإن التيار من خلال كل مدخل يكون متطابقًا، مما يؤدي إلى موازنة التيار في كل من المخرجات.
أحد الآثار الجانبية لهذه الهيكلية هو أن المحولات تحتاج فقط إلى نسبة دوران 4:1+1، ويمكن أن تكون مستوية.
