تلبي متطلبات الكفاءة العالية وكثافة الطاقة العالية، وتستهدف مجموعة من التطبيقات. على سبيل المثال، بما في ذلك الخوادم ومحطات العمل ومقومات الاتصالات ومحولات الطاقة الشمسية ومحركات المحركات وأنظمة الطاقة الصناعية.
AOTL037V60DE2
يتوفر AOTL037V60DE2 في حزمة TOLL ويتميز بحد أقصى RDS(ON) يبلغ 37 مللي أوم. وفقًا للشركة، فإنه يمكنه تحمل di/dt قدره 1300 أمبير/ثانية في ظل ظروف تيار أمامي محدد (IF) عند درجة حرارة تقاطع تبلغ 150 درجة مئوية.
تسلط AOS الضوء على أنها تتميز بصمام ثنائي داخلي قوي للتعامل مع سيناريوهات التخفيف الصعبة. على سبيل المثال، الاسترداد العكسي لجسم الصمام الثنائي الحر الذي يمكن أن يحدث أثناء الأحداث غير الطبيعية، مثل دوائر القصر أو المراحل العابرة لبدء التشغيل.
يقول AOS إن AOTL037V60DE2 (600V 37mOhm TOLL) متوفر بكميات الإنتاج مع مهلة زمنية تصل إلى 16 أسبوعًا. سعر الوحدة بكميات 1000 قطعة هو 5.58 دولار.
موسفيت
قال سايمون يو، كبير مديري خط الإنتاج في AOS: “لقد صممنا هذه المنصة وأول MOSFET عالي الجهد لتلبية احتياجات إمدادات الطاقة التقليدية AC/DC، بالإضافة إلى محولات DC/DC ومحولات DC/AC، حيث يظل تحقيق كثافة طاقة عالية وكفاءة يمثل تحديًا كبيرًا”.
“من خلال الاستفادة من الخبرة الهندسية الواسعة لـ MOSFET لدى AOS، نحن نعلم أن القدرات المذهلة لمنصة αMOS E2 High-Voltage Super Junction MOSFET وAOTL037V60DE2 تحل هذه التحديات مما يتيح لمصممي تطبيقات الطاقة المتوسطة والعالية لإمدادات الطاقة، ومحولات الطاقة الشمسية الكهروضوئية، ومحولات DC/DC تلبية متطلبات كفاءة الطاقة والمتانة والتكلفة المنخفضة اليوم والمستقبل بشكل فعال.”
الخصائص الكهربائية والحرارية النموذجية موضحة أعلاه.
تظهر أدناه دائرة اختبار شحنة البوابة والشكل الموجي.
يمكنك قراءة المزيد على AOTL037V60DE2 على موقع Alpha and Omega Semiconductor، بما في ذلك ورقة البيانات.
الصورة: ألفا وأوميغا لأشباه الموصلات
