“تم تطويره وتصنيعه في مصنع Onsemi’s في سيراكيوز، نيويورك، ويمتلك Onsemi أكثر من 130 براءة اختراع عالمية تغطي مجموعة من العمليات الأساسية وتصميم الأجهزة والتصنيع وابتكارات الأنظمة لتقنية GaN العمودية،” وفقًا للشركة. “بالمقارنة مع أجهزة GaN الجانبية المتوفرة تجاريًا، فإن أجهزة GaN العمودية أصغر بثلاث مرات تقريبًا.”
وبعيدًا عن الإعلان عن وجودها، لا تكشف الشركة سوى القليل عن هذه التقنية، باستثناء الادعاء: “يتفوق جهاز GaN العمودي على كل من أجهزة GaN-on-silicon وGaN-on-sapphire لتوفير قدرة جهد أعلى، وتردد تحويل أعلى، وموثوقية فائقة وصلابة معززة.”
إلكترونيات أسبوعية طلبت بيانات الأداء، وقيل لها أنه لم يتم الكشف عن أي شيء آخر بعد.
