QPD1011A من Qorvo عبارة عن GaN منفصل بقدرة 7 وات (P3dB) و50 أوم على SiC HEMT، والذي يعمل من 30 ميجا هرتز إلى 1200 ميجا هرتز. تتيح شبكة مطابقة المدخلات المتكاملة كسب النطاق العريض وأداء الطاقة، …
هذا المنصب يعمل الترانزستور المطابق لإدخال GaN RF بسرعة 30-1200 ميجاهرتز ظهرت لأول مرة على إلكترونيات أسبوعية.
