يعد Samsung Galaxy S25 Edge نموذجًا جديدًا في سلسلة Galaxy S الرائدة التي تتميز بملف تعريف أنيق ، على الرغم من مشاركتها الداخلية مع أشقائها. على الرغم من أنها ظهرت لأول مرة منذ بضعة أشهر في شهر مايو ، إلا أن مطحنة الشائعات تطرح بالفعل معلومات عن خلفها. الآن ، قامت Samsung Galaxy S26 Edge المزعومة بزيارة منصة القياس التي تشير إلى أنه يمكن أن يتم تشغيله بواسطة Snapdragon 8 Elite Soc Sivor ، المعروف في كل مكان باسم Snapdragon 8 Elite 2.
Samsung Galaxy S26 Edge Geekbench قائمة
كان هاتف Samsung مع رقم الطراز “SM-S947U” المدرجة على Geekbench، الذي يعتقد أنه Galaxy S26 Edge. يظهر مع مجموعة شرائح ثمان النواة لها بنية ARMV8 وتردد تشغيل قاعدة قدره 3.63 جيجا هرتز. تضم بنية SOC’s اثنين من النوى التي تم تسجيلها عند 4.74 جيجا هرتز وستة نوى في 3.63 جيجا هرتز.
Samsung Galaxy S26 Edge قائمة على Geekbench
سرعات التشغيل هذه أعلى من Snapdragon 8 Elite SOC ، مما يؤدي إلى تكهنات بأن حافة Galaxy S26 المزعومة يمكن أن تكون مدعومة من خلال Snapdragon 8 Elite 2 شرائح. يتم تأكيد هذا أيضًا بواسطة معرف U في رقم طراز الهاتف الذي يؤكد أنه متغير أمريكي.
في القائمة ، يتم إقران Octa-Core SOC بحوالي 10.84 جيجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي ، والتي يمكن تسويقها على أنها 12 جيجابايت. يعمل الهاتف على تشغيل Android 16 وله لوحة أم مع “الزورق” كمعرف.
توفر لنا الدرجات القياسية لـ Samsung Galaxy S26 Edge فكرة عما يمكن توقعه من الهاتف و SOC من حيث الأداء. في Geekbench 6.4.0 Corporate لاختبار المعايير Android AARCH64 ، سجلت درجات واحدة ومتعددة النواة من 3،393 و 11،515 نقطة ، على التوالي.
هذه الأرقام أعلى من ليس فقط حافة Galaxy S25 (مراجعة) ولكن حتى أعلى مستوى Galaxy S25 Ultra (مراجعة). في الاختبارات الداخلية لـ Gadgets 360 ، سجلت Galaxy S25 Edge 2،739 و 9،724 درجات واحدة ومتعددة النواة ، على التوالي ، على Geekbench 6.
تكشف مقارنة هذه الأرقام بدرجات Geekbench 6 من Galaxy S26 Edge أن Snapdragon 8 Elite 2 SOC القادمة يمكن أن تقدم ليست كبيرة ، ولكن ترقية طفيفة من حيث قوة المعالجة الخالصة.
